PlasmaPro 100

Il PlasmaPro 100 è una piattaforma modulare con loadlock in grado di trattare substrati fino a 200 mm. Grazie alla particolare configurazione, è possibile ottenere elevate prestazioni, eccellente uniformità e controllo delle caratteristiche del film.


PlasmaPro 100 RIE

Il PlasmaPro 100 RIE è in grado di fornire attacchi dry isotropici ed anisotropici per un’estesa varietà di processi.

Applicazioni tipiche:

  • Attacchi di materiali III-V
  • Lasers InP
  • VCSEL GaAs/AlGaAs etch
  • RF GaN
  • Diamond Like Carbon (DLC)
  • SiO2 e quarzo
  • Metalli quali alluminio, cromo, titanio
  • Polimeri e fotoresist
  • Failure analysis

PlasmaPro 100 PECVD

PlasmaPro 100 PECVD è progettato per realizzare film di alta qualità con eccellente uniformità e controllo delle proprietà del film quali indice di rifrazione, stress, caratteristiche elettriche.

Applicazioni:

  • Nitruro di silicio ed ossido di silicio di alta qualità, per applicazioni nella fotonica, dielettrici, passivazione.
  • SiC (carburo di silicio)
  • A-Si e Poly-Si
  • Maschere per la produzione di LED
  • Possibilità di utilizzare precursori liquidi

PlasmaPro 100 ICPCVD

Il PlasmaPro 100 ICPCVD è progettato per la realizzazione di film di alta qualità a basse temperature di crescita grazie al plasma remoto ad alta intensità che permette di ottenere una qualità del film superiore limitando i danni al substrato.

Applicazioni:

  • Eccellente qualità del film depositato a basse temperature
  • Tipici materiali depositati: SiO2, Si3N4, SiON, Si e SiC ad una temperatura del substrato pari a 5 °C
  • Sorgente ICP con dimensioni a scelta di 65, 180 o 300 mm
  • Dimensioni del substrato fino a 200 mm
  • Intervallo operativo di temperatura dell’elettrodo compreso tra 5 e 400 °C
  • Tecnologia di distribuzione dei gas brevettata
  • Pulizia della camera in situ con EPD
  • Possibilità di utilizzare precursori liquidi quali TTIP per TiO2 e TEOS per SiO2

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE

Il PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE utilizza il plasma ad alta densità ed accoppiato induttivamente per ottenere elevate velocità di attacco.

 

Applicazioni

  • Attacchi di materiali III-V
  • NbN e Ta per dispositivi quantistici
  • Lasers InP
  • GaAs/AlGa
  • SiC e GaN
  • Metalli quali Al, Cr, Ni
  • SiOx
  • Silica e quarzo
  • Si
  • Maschere

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch

Il sistema PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE utilizza un plasma ad alta densità accoppiato induttivamente per ottenere velocità di incisione elevate.

Applicazioni:
  • Ampia libreria di processi per l’attacco di materiali III-V
  • NbN e Ta per dispositivi quantistici
  • Applicazioni dei semiconduttori composti:
  • Laser a stato solido InP etch
  • Attacco VCSEL GaAs/AlGaAs
  • Elettronica di potenza/RF Incisione di SiC e GaN
  • Ampia libreria di processi di incisione di metalli: Al, Cr, Ni, ecc.
  • Attacco di SiOx e SiO2
  • Attacco di silice fusa e quarzo
  • Attacco di Si
  • Attacco di maschere rigide SiO2 e SiNx

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