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PRODOTTI GGK

OCCASIONI

Sistemi di processo / Sistemi di attacco e deposizione in vuoto / OIPT Oxford Inst. - Sistemi di attacco e deposizione via plasma

Sistemi di attacco e deposizione in plasma (RIE - ICP - CVD - PECVD)

OXFORD OIPT offre una gamma completa di reattori al plasma sia per quanto riguarda la deposizione di films sottili PECVD sia in fase gassosa che liquida CVD sputtering ed IBS Ion Beam Sputtering, che per quanto concerne l´attacco ICP e RIE.
Sono disponibili una ampia gamma di sistemi di processo, dal sistema per ricerca e sviluppo che sistemi di grandi dimensioni per la produzione di tipo cassette to cassette ad elevata produttività:

 

 

Plasma RIEPlasmaPro80
Offre soluzioni al plasma di etching e deposizione su una piattaforma ti tipo aperto. Questo sistema di tipo compatto ha un footprint ridotto ed è molto facile da usare, questo senza compromettere la qualità del processo.

Il PlasmaPro 80 è ideale per la R&S o la produzione su piccola scala, e può processare sia piccoli wafer o pezzetti, fino a wafer con un diametro di 200 mm.
Il design del sistema consente un veloce carico e scarico dei wafer, disponibile per piattaforma  RIE, ICP, PECVD ed ICPCVD.

 


Plasma ICPPlasmaPro100

Sistema di attacco e deposizione dei wafer
La gamma dei sistemi della serie PlasmaPro 100 per l´attacco o la deposizione dei film sottili, può essere equipaggiata di una ampia varietà di elettrodi che consentono processi su un´ampia gamma di temperature.
È ideale per numerosi settori di mercato, tra cui MEMS, HBLED, Sensori, FA failure analysis , Power Semiconductors, Nanotecnologie, Fotovoltaico e attrezzature multiutente.

 

NanoFab system Nanofab®

Il Nanofab® è un sistema per la crescita a rate elevati dei nanomateriali (come il grafene) con attivazione catalitica in situ, e controllo rigoroso dei processi

  • Design a parete fredda con doccia a rilascio uniforme del precursorePossibilità di arricchimento del plasma: in camera (CCP) o plasma remoto (ICP)
  • Sistema con load lock per una rapido cambio del campione
  • Uniformità della temperatura eccellente
  • Sistema di rilascio del liquido/solido opzionale per la crescita di MoS2, MoSe2 e altri TMDC
  • Dimensioni del campione variabili da piccoli pezzi fino a un diametro massimo di 200 mm
  • Accesso ottico multiplo per la caratterizzazione in situ (OES, Ellipsometry ecc.)
  • Opzioni del tavolo riscaldante da 700 ° C, 800 ° C o 1200 ° C

 

IonFab 300Ionfab 300

L´Ionfab®300 offre la flessibilità per eseguire l´attacco e/o la deposizione e massimizzare l´utilizzo del sistema.

Le specifiche del sistema possono essere accuratamente focalizzate alle applicazioni, consentendo risultati di processo molto rapidi e ripetibili. I sistemi sono scalabili dalla R&D alla produzione batch in unico uno sistema.

La gamma Ion Beam offre funzionalità in diverse modalità quali:

  • Ion Beam Etching (IBE)
  • Etching con fascio ionico reattivo (RIBE)
  • Deposizione con fascio ionico reattivo (RIBD)
  • Etching chimico a fascio ionico (CAIBE)
  • Ion Beam Sputter Deposition (IBSD)
  • Ion Assisted Sputter Deposition (IASD)