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PRODOTTI GGK

OCCASIONI

Prodotti di Consumo / Wafer e cristalli di silicio / SIL-TRONIX - Prodotti in Silicio

Wafer di silicio con strato deposto/cresciuto


Offerta tecnica :

  • Realizzazione di wafers con uno strato deposto o cresciuto termicamente
  • Servizio di realizzazione strati su wafers già venduti al cliente.
  • Opzione di fornire per ogni singolo wafer le misure di spessore a patto che questi siano identificati con laser marker. 

Catatteristiche qualitative :

  • SiO2 di alta qualità: ossidazione Dry fino a 300 nm disponibile su wafers da 1ʺ a  5ʺ (vedi grafici fig 1 e fig2)
  • Si3N4 > 150 nm.
  • Altre specie di strati metallici quali: Pt, Au, Ag, Poly, Si, Ti, TiO2… e molti altri.
  • Roughness < 3 Å   (misurata con AFM)
  • Ottima qualità di depositi di  Graphene grazie alla qualità dell’ossido termico alla base

Campi applicativi:

  • MEMS, Nanotubi, Graphene, Crescita materiali, Biochimica, Nano cablaggi  

 

Caratteristiche tecniche dell ossido termico :

Coefficente di estinzione K

                             Fig. 1 Coefficente di estinzione K

Il coefficiente di estinzione K è molto basso e indica che lo strato di SiO2 termico è molto puro.

 

Indice di rifrazione

                                       Fig. 2 Indice di Rifrazione

Come il grafico precedente anche la curva dell’indice di rifrazione dello strato cresciuto conferma la assenza di
Impurità o di porosità del film.