MKS Instruments: Sorgenti Plasma RF Remote
Tecnologie Avanzate per Processi Semiconduttori
Tecnologie Avanzate per Processi Semiconduttori
Le sorgenti plasma RF remote MKS Instruments rappresentano la soluzione più innovativa per generazione di radicali reattivi ad alta densità in applicazioni semiconduttori e thin film. Questi sistemi integrati combinano tecnologie toroidali, microonde e controllo intelligente per massimizzare throughput di pulizia, deposizione e preparazione superfici in ambienti produttivi critici.
La R*evolution V combina tecnologia toroidale low-field con camera toro quarzo raffreddata attivamente, riducendo significativamente la perdita di atomi ossigeno, idrogeno e azoto per ricombinazione parietale. Il sistema autocontenuto e compatto fornisce fino a 10 slm radicali ossigeno da alimentatore 6kW con accuratezza potenza reale <1%, risultando in sorgente radicali ultra-pulita per photoresist stripping con velocità rimozione ottimale >12 micron/min.
Vantaggi distintivi:
Le ASTRON Paragon rappresentano l’ultima piattaforma nella famiglia leader ASTRON. Progettate per flussi NF3 fino a 6-8 slm e pressioni fino a 10 Torr mantenendo elevato tasso dissociazione gas, permettono maggiore flessibilità processo, tempi elaborazione ridotti e throughput aumentato.
Generatori gas reattivi ad alto output autocontenuti per applicazioni pulizia camera. Utilizzano tecnologia Low-Field-Toroidal brevettata per dissociare efficacemente gas input producendo chimiche reattive downstream. Dissociazione >95% per tutte le miscele NF3/Ar con efficienza superiore rispetto ad altre tecnologie chamber clean.
La RPS-CH24P1 da 24 kW è progettata per camere Atomic Layer Deposition (ALD) e Chemical Vapor Deposition (CVD) quad-style utilizzate in processi Semiconduttori, Flat Panel Display e Fotovoltaici. Design split-powered DC/RF con alimentatore DC rack-mounted e testa applicatore toroidale RF 24 kW fornisce distruzione altamente efficiente molecole NF3 per applicazioni pulizia camera o specie gas miste alto flusso.
Caratteristiche innovative:
Il KEINOS 2MHz incorpora tecnologie più recenti MKS per applicazioni demanding di pulsing, cambiamenti impedenza veloci e passi processo più brevi. Fornisce fino a 13kW potenza, pulsing fino a 50KHz, pulsing multi-setpoint, pulse shaping e frequency tuning brevettato MKS. Utilizza sensore VI integrato per accuratezza potenza e controllo digitale per tempi risposta veloci.
Sorgenti plasma microonde con unità matching microonde e sottosistemi delivery plasma microonde integrati per elaborazione semiconduttori: rimozione photoresist, passivazione, pulizia camera e processi avanzati downstream chemical etch.
Pulizia Camere Semiconduttori:
Applicazioni Processo:
Vantaggi Ambientali:
Tutti i sistemi sono equipaggiati con comunicazione EtherCAT® per streaming intelligent data sets verso database tool o fab, permettendo monitoraggio/modifica parametri operativi in tempo reale. Supporto completo per Automated Process Control (APC) e Fault Detection Classification (FDC).
Integrazione Sistema:
MKS fornisce supporto completo con:
Le sorgenti plasma RF remote MKS Instruments sono la scelta preferita da OEM e fab leader mondiali per applicazioni mission-critical che richiedono massima efficienza dissociazione, affidabilità operativa e integrazione seamless negli ambienti manifatturieri automatizzati moderni.