Nanomechanics Inc è stata recentemente acquisita da KLA-Tencor, questa acquisizione consente di combinare la la gamma degli strumenti di Nanomechanics Inc per la nano-indentazione con il Nano-indenter G-200 di KLA-Tencor.

La linea completa di prodotti innovativi per la nano-indentazione sviluppati dal Dr Warren Oliver sarà ora riunita sotto un unico marchio.

Le linee di prodotti iNano, iMicro, InSem e Nanoflip saranno ora vendute insieme ai sistemi Nano-Indenter G-200 e T-150 UTM, tutti con il marchio KLA-Tencor.

Sia KLA-Tencor che Nanomechanics Inc sono fortemente impegnati nella continua ricerca e sviluppo per il miglioramento e l’innovazione dei loro prodotti. KLA-Tencor ha investito oltre 2 miliardi di dollari in ricerca e sviluppo negli ultimi 4 anni e Nanomechanics Inc ha continuato a sviluppare nuovi progetti per superare i limiti dei test nanomeccanici.

KLA-Tencor ha acquisito la linea di prodotti per la nanoindentazione da Keysight Technologies.
La gamma di questi nuovi prodotti arricchisce il portafoglio di prodotti KLA-Tencor per fornire strumenti avanzati per test meccanici su scala nanometrica.

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Dal 1° Luglio 2017 la Gambetti Kenologia Srl, ha preso la rappresentanza della societa multinazionale Giapponese ULVAC Inc. per la distribuzione degli ellissometri spettrali della serie UNECS, e per i cercafughe ad elio dell serie HELIOT.

Nuovo AFM da Park Systems per le misure elletrochimiche implementa le tecniche SECM (Scanning Electro-Chemical Microscope), SECCM (Scanning Electro-Chemical Cell Microscope) e anche EC-STM (Electro-Chemical -Scanning Tunneling Microscope).

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È con piacere che annunciamo che Oxford Instruments Plasma Technology ha ricevuto il premio “High Volume Manufacturing” al CS Industry Awards tenutosi il 7 Marzo 2017 a Bruxelles. Il premio mette in evidenza lo sviluppo del processo per la realizzazione di via su SiC tramite incisione al plasma, utilizzando il loro sistema denominato PlasmaPro100 Polaris. Il SiC sta diventando un materiale sempre più importante, soprattutto per dispositivi RF ad alta prestazioni basati su GaN, utilizzando SiC come substrato. L’incisione di via attraverso il SiC è essenziale per il funzionamento di questi dispositivi. Le funzionalità del sistema della Oxford Instruments includono: elevato etch rate del Sic consentendo di ottenere elevate velocità del processo; pareti lisce che eliminano i problemi di metallizzazione dopo il processo di etching; alta selettività per lo strato di GaN sottostante, ottenendo superfici lisce e danni ridotti sugli strati di GaN. Altre caratteristiche includono Il bloccaggio dei carrier in zaffiro, utilizzando la tecnologia brevettata della Oxford Instruments che si basa sull’uso di morsetti elettrostatici, la quale garantisce un buon controllo della temperatura del campione e la resa massima del processo. La capacità di incisione di SiC e GaN nello stesso strumento attraverso la tecnologia avanzata basata su sorgente di plasma. Un elevato utilizzo ottenuto grazie ad un tempo medio fra le pulizie (MTBC) elevato.