Wafer SOI (Silicon-On-Insulator):

Wafer SOI (Silicon-On-Insulator): La Rivoluzione dei Semiconduttori

wafer SOI


La tecnologia Silicon-On-Insulator (SOI) segna una svolta decisiva nel settore dei semiconduttori, superando i limiti del tradizionale silicio sfuso. Questa innovazione si basa sull’introduzione di un sottile strato isolante, solitamente in ossido di silicio, posizionato tra lo strato di silicio attivo e il substrato di supporto. Questa architettura unica riduce drasticamente la capacità parassita, un fattore che rallenta i dispositivi elettronici.

Quali sono i vantaggi concreti? I wafer SOI permettono di creare dispositivi fino al 15% più veloci e con un consumo energetico ridotto del 20% rispetto ai chip CMOS convenzionali. Questo significa prestazioni superiori, maggiore durata della batteria e minore dissipazione di calore.

I Vantaggi dei Wafer SOI e le Loro Applicazioni

La tecnologia SOI non è solo una promessa, ma una realtà che sta trasformando numerosi settori industriali. La sua capacità di migliorare l’efficienza dei dispositivi la rende la scelta preferita per le applicazioni più critiche:

  • Informatica ad alte prestazioni: Chip più veloci e potenti per server e data center.
  • Telecomunicazioni: Componenti RF e 5G con prestazioni ottimizzate.
  • Settore automobilistico: Sistemi elettronici più affidabili e a basso consumo per veicoli intelligenti.
  • Internet degli oggetti (IoT): Dispositivi più efficienti e con una maggiore autonomia.

La Nostra Offerta di Wafer SOI di Alta Qualità

Offriamo un’ampia gamma di wafer SOI di alta qualità, con diverse configurazioni per soddisfare ogni specifica esigenza di progetto. La nostra flessibilità ci permette di adattarci sia alla ricerca e sviluppo che alla produzione su piccola scala.

  • Configurazioni Personalizzabili: Forniamo wafer con diversi spessori per il Device Layer, il BOX Layer e l’Handle Layer.
  • Diametri disponibili: Pur essendo specializzati in wafer da 8 pollici (200mm), possiamo supportare anche diametri più piccoli con specifiche personalizzate.
  • Massima Flessibilità: I nostri servizi sono adatti a progetti di ricerca e sviluppo, con una quantità minima d’ordine a partire da 1 pezzo.

Scegliendo i nostri wafer SOI, scegli la velocità, l’efficienza e l’innovazione per i tuoi progetti.


CAPACITÀ

siamo in grado di fornire soluzioni personalizzate per le vostre specifiche esigenze di progetto. Per le specifiche attualmente disponibili, consultare l’elenco delle scorte.

Wafer di silicio su isolante (SOI)

Device Layer -TOP Min. Max.
Crystal Growth Method CZ,FZ
Diameter 2″ 8″
Thickness 0.05μm >300μm
Tolerance ±5%
Crystal Orientation (100),(110),(111)
Type/Dopant P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic
Resistivity 0.001 ohm-cm >20,000 ohm-cm
Front Surface Polished
Buried Oxide -BOX layer Min. Max.
Thickness 0.1μm 3μm
Tolerance ±5%
Handle Layer Min. Max.
Crystal Growth Method CZ,FZ
Diameter 2″ 8″
Thickness 200μm 750μm
Tolerance ±5%
Crystal Orientation (100),(110),(111)
Type/Dopant P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic
Resistivity 0.001 ohm-cm >20,000 ohm-cm
Back Surface Etched or Polished with Oxide
Overall Wafer Characteristics Min. Max.
TTV <5μm
BOW <20μm
Lead time 9-12 weeks (On Average)

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