Le Sorgenti Ioniche Gridless End-Hall eH rappresentano l’innovazione più avanzata di Kaufman & Robinson nel campo delle sorgenti ioniche al plasma. Basate sulla tecnologia brevettata end-Hall, queste sorgenti gridless (senza griglie) offrono prestazioni superiori per applicazioni che richiedono fasci ionici ad alta corrente e bassa energia.
Tecnologia End-Hall Brevettata
Principio di Funzionamento Gridless
- Accelerazione diretta degli ioni dal plasma di scarica senza l’uso di griglie
- Eliminazione della necessità di manutenzione, allineamento o sostituzione delle griglie
- Costruzione robusta e funzionamento semplificato
- Costi ridotti rispetto alle controparti con griglie
Caratteristiche del Fascio Divergente
- Fascio divergente con angolo semi-massimo superiore a 45° dall’asse della sorgente
- Copertura uniforme di ampie zone di processo per operazioni ad alto throughput
- Ideale per processare grandi carichi di componenti o substrati di ampia superficie
Specifiche Tecniche Avanzate
Sistema di Generazione Plasma Efficiente
- Catodo ad emissione termionica per sorgente affidabile di elettroni
- Anodo metallico polarizzato DC per attrazione elettronica
- Campo magnetico di confinamento per ionizzazione efficiente
- Produzione di plasma ad alta densità con numerosi gas: Ar, Xe, O₂, N₂ e gas reattivi
Sistema Modulare Brevettato
- Modulo anodo quick-change brevettato per manutenzione rapida
- Rimozione veloce del modulo anodo mentre il corpo sorgente rimane in camera
- Moduli anodo leggeri e intercambiabili per massimizzare l’uptime
- Manutenzione su banco di lavoro mentre la camera continua a essere produttiva
Gamma Completa Prodotti eH
eH400 – Soluzione Compatta
- Dimensioni: diametro 3.7″, altezza 3″
- Voltaggio/corrente di scarica: 50-300V/5A
- Gas operativi: Ar, Xe, Kr
- Ideale per sistemi da vuoto piccoli-medi, assistenza ionica, pre-pulizia, etching a bassa energia
eH1000 – Efficienza Energetica
- Dimensioni: diametro 5.7″, altezza 5.5″
- Voltaggio/corrente di scarica: 50-300V/10A
- Gas operativi: Ar, Xe, Kr, O₂, N₂, precursori organici
- Utilizzo efficiente del gas per sistemi di media dimensione
eH2000 – Potenza Elevata
- Dimensioni: diametro 5.7″, altezza 5.5″
- Voltaggio/corrente di scarica: 50-300V/10A o 15A (dipendente dal processo)
- Gas operativi: Ar, Xe, Kr, O₂
- Progettato per sistemi da vuoto medi-grandi con elevate prestazioni
eH3000 – Massima Potenza
- Dimensioni: diametro 9.7″, altezza variabile
- La sorgente al plasma più efficiente e con il più alto flusso ionico disponibile sul mercato
- Ideale per applicazioni su larga scala e produzione ad alto volume
eH Linear – Configurazione Modulare
- Linea prodotti scalabile progettata per applicazioni inline e roll-to-roll coating
- Approccio modulare KRI per ottimizzazione dell’uniformità su grandi aree
- Personalizzabile per specifiche esigenze di processo e installazione
Applicazioni Industriali Avanzate
Deposizione Assistita da Fascio Ionico (IBAD)
- IBAD in evaporazione termica e a fascio elettronico
- IBAD in sputtering magnetron
- Controllo di energia specifica, reattività chimica, densità di corrente e traiettoria degli ioni
Processi di Pre-pulizia e Modificazione
- Pre-pulizia in-situ per sputtering ed evaporazione
- Etching a bassa energia per preservare superfici e interfacce sensibili
- Eliminazione dei danni alle superfici grazie al bombardamento ionico a bassa energia
Neutralizzazione Elettronica Dedicata
- Sorgente di elettroni neutralizzatrice dedicata e regolata
- Processamento di substrati dielettrici, elettricamente isolati e sensibili all’elettrostatica
- Controllo preciso degli elettroni per bilanciare le cariche positive
Settori di Applicazione
Industrie Avanzate
- Ottica e ottica di precisione
- Semiconduttori e superconduttori
- Reticoli laser e dispositivi LED/OLED
- Rivestimenti web e applicazioni R&D
Piattaforme di Integrazione
- Sistemi a campana, box coaters, cluster tools con load lock
- Web coaters, sistemi di sputtering rotativi/low profile
- Coaters in-line e applicazioni roll-to-roll
Vantaggi Competitivi Unici
Efficienza Operativa
- Elevata corrente ionica per alti tassi di processo
- Bassa energia ionica per eliminare danni a superfici e interfacce
- Aumento del tempo medio tra le manutenzioni
Versatilità di Processo
- Controllo atomico di film e superfici con precisione nanometrica
- Compatibilità con gas inerti e reattivi per diverse applicazioni
- Configurazioni personalizzabili per esigenze specifiche di installazione
Affidabilità e Manutenzione
- Costruzione robusta per maggiore affidabilità
- Sistema modulare per riduzione drastica dei tempi di fermo
- Facilità di integrazione in nuovi sistemi OEM o retrofit di sistemi esistenti