È con piacere che annunciamo che Oxford Instruments Plasma Technology ha ricevuto il premio “High Volume Manufacturing” al CS Industry Awards tenutosi il 7 Marzo 2017 a Bruxelles. Il premio mette in evidenza lo sviluppo del processo per la realizzazione di via su SiC tramite incisione al plasma, utilizzando il loro sistema denominato PlasmaPro100 Polaris. Il SiC sta diventando un materiale sempre più importante, soprattutto per dispositivi RF ad alta prestazioni basati su GaN, utilizzando SiC come substrato. L’incisione di via attraverso il SiC è essenziale per il funzionamento di questi dispositivi. Le funzionalità del sistema della Oxford Instruments includono: elevato etch rate del Sic consentendo di ottenere elevate velocità del processo; pareti lisce che eliminano i problemi di metallizzazione dopo il processo di etching; alta selettività per lo strato di GaN sottostante, ottenendo superfici lisce e danni ridotti sugli strati di GaN. Altre caratteristiche includono Il bloccaggio dei carrier in zaffiro, utilizzando la tecnologia brevettata della Oxford Instruments che si basa sull’uso di morsetti elettrostatici, la quale garantisce un buon controllo della temperatura del campione e la resa massima del processo. La capacità di incisione di SiC e GaN nello stesso strumento attraverso la tecnologia avanzata basata su sorgente di plasma. Un elevato utilizzo ottenuto grazie ad un tempo medio fra le pulizie (MTBC) elevato.