Generatori RF Potenza MKS Instruments:
Sistemi Avanzati per Plasma Semiconduttori
Sistemi Avanzati per Plasma Semiconduttori
I generatori RF potenza MKS Instruments forniscono alimentazione solid-state affidabile per equipment thin film processing, rappresentando componenti vitali nei sistemi fabbricazione semiconduttori. La gamma completa include serie KEINOS, Spectrum, elite e Genesis ENI, combinati con reti impedance matching Matchwork® e sonde V/I per formare sistemi RF delivery completi ottimizzati per massima efficienza e controllo preciso.
Il KEINOS 2MHz plasma generator rappresenta l’ultima innovazione nella suite prodotti MKS Power Solutions 2MHz. Incorpora tecnologie avanzate per applicazioni demanding di pulsing, cambiamenti impedenza veloci e process steps più brevi. KEINOS fornisce fino a 13kW potenza, pulsing fino a 50KHz, pulsing multi-setpoint, pulse shaping e frequency tuning brevettato MKS.
Dynamic Frequency Tuning (DFT) costituisce avanzamento significativo rispetto ai tradizionali algoritmi guided-search Auto Frequency Tuning. Mentre schemi frequency tuning convenzionali richiedono >500 µsec di steps coarse/fine per cercare minima reflected power, DFT utilizza misurazione distorsione potenza per regolare frequenza in <50 µsec, riducendo plasma stabilization time per 3D NAND etching e migliorando impedance matching durante ALD/ALE.
Modelli disponibili:
I generatori Spectrum 13.56MHz offrono high power density, eccellente stabilità, margini potenza generosi e affidabilità elevata per lower cost ownership e yield migliorato, wafer-to-wafer e run-to-run. Disponibili in livelli potenza 1.5kW e 3.0kW per applicazioni CVD, PVD, etching e thin film durante manifattura circuiti integrati, flat panel display, optical media e industrial coatings.
Le versioni Spectrum 2MHz (B5002 5.0kW, B11002 11.0kW) forniscono potenza elevata a 2MHz per processi avanzati richiedenti capacità superiori con stessa affidabilità caratteristica della serie.
I generatori elite 13.56MHz sono progettati con high speed closed loop control, classe E RF deck e switching modulator per performance output superiore. Design integrato single PCBA offre affidabilità eccezionale, mentre configurazione air cooled, compatta e lightweight fornisce soluzione cost-effective easy-to-install per deposizione RF ed etch needs.
Caratteristiche innovative:
Livelli potenza: 300W, 600W, 750W in enclosures 2U full rack e 3U half rack
I generatori Genesis ENI feature high power density, stabilità eccezionale, margini potenza generosi e affidabilità elevata. Accuratezza ±1% tied to e transferable da United States National Institute of Standards. Disponibili in multiple frequenze incluso 40.68MHz con output fino a 3000W per applicazioni specializzate.
I generatori microwave MKS offrono sistemi compatti industriali 915MHz e 2450MHz adattabili a wide range applicazioni incluso Food/Beverage Packaging, Environmental e Advanced Industrial processes come coating, material growth e automotive. Design chassis power system robusto modulare con advanced filament ed electromagnetic management per durata estesa.
Le reti impedance matching Matchwork® forniscono tuning efficiente e veloce dei generatori RF per applicazioni PECVD, HDPCVD ed etch. Linea “off-the-shelf” e networks automatici customizzati fornisce impedance matching veloce ed efficiente per tutte le applicazioni solar, semiconductor e flat panel.
Il sistema comprende High Power Microwave Plasma Source, generator (con isolator) e auto-tuning system con Precision Power Detector e SmartMatch® unit. Fornisce alta concentrazione radicali con low electron temperatures per highest dissociation e lowest recombination rates.
I generatori RPDG forniscono asymmetric bipolar e unipolar pulsed DC power per reactive PVD, CVD bias e enhancement coating applications. La linea elimina yield-limiting factors, permettendo a existing PVD tools di produrre high quality, low-defect films necessari per next generation processes.
Modelli disponibili:
Semiconductor Manufacturing:
Advanced Applications:
Controllo Avanzato: DSP-based power control con fast response times e accurate power detection tramite integrated VI probes per monitoring real-time forward/reflected power.
Affidabilità Superiore: Solid-state design con inductive-clamp protection contro adverse load conditions e plasma fluctuations per operational reliability estesa.
Integrazione Seamless: Compatibilità SEMI standards (S2, S7, S14, F47) con optical communication immunity a electromagnetic interference e support worldwide AC input ranges.
Cost-Effectiveness: Air-cooled designs riducono infrastructure requirements mentre efficient switch mode topology minimizza energy consumption e operating costs.
I generatori RF potenza MKS Instruments sono la scelta preferita da OEM e fab leader mondiali per applicazioni mission-critical richiedenti massima precisione, affidabilità operativa e performance superiori negli ambienti manifatturieri semiconduttori più avanzati.