Oxford Instruments – Sistemi di Deposizione

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Il sistema di attacco (IBE) e deposizione (IBD) a fascio ionico è la scelta ideale per la lavorazione di materiali di alta qualità. I sistemi hanno diverse opzioni hardware, tra cui la presenza della load-lock per un singolo substrato o con caricamento a cassetta. Le specifiche del sistema sono strettamente adattate alle applicazioni, consentendo di ottenere risultati più rapidi e ripetibili.

• Funzionalità in modalità multipla
• Possibilità di raggruppamento con altri strumenti di incisione e deposizione al plasma
• Gestione di wafer singoli o di cluster di wafer
• Configurazione a doppio raggio
• Rugosità del film superficiale molto bassa
• Uniformità dei lotti e riproducibilità del processo senza pari
• Rilevamento accurato del punto finale – SIMS, emissione ottica
• Film sottile di alta qualità per una contaminazione bassissima
• Elevata produttività con ingombro ridotto per un basso costo di esercizio
• Supporto brevettato per substrati ad alta velocità (fino a 500 RPM)
• Controllo ottico del film in situ molto accurato

Ion Beam Etching

La tecnologia a fascio ionico fornisce un approccio eccezionalmente versatile all’attacco ed alla deposizione, offrendo un unico strumento e massimizzando l’utilizzo del sistema. L’attacco a fascio ionico offre la massima flessibilità ed un’eccellente uniformità.

Vantaggi principali

• Configurazione flessibile della macchina per applicazioni di ricerca avanzate
• Uniformità e riproducibilità del processo unici
• Capacità di movimentazione dei wafer – load lock del singolo wafer cassette

Caratteristiche Hardware

Dimensione del wafer	100 mm	200 mm
Dimensione sorgente ionica RF	15 cm	15 cm
Velocità di rotazione del substrato	Fino a 20 RPM
Angolo di inclinazione del substrato	Da -90° orizzontale a +65° rivolto verso il basso
Temperatura del piatto	Configurazione con chiller o riscaldatore da 10 °C a 300 °C

Applicazioni

• Attacco di superfici inclinate (slanted etching)
• Attacco di facce laser
• MRAM
• Film dielettrici
• Materiali III-V per la fotonica
• Spintronics
• Superconduttori

MMMMetodi di attacco IBE

• Ion Beam Etching (IBE) / Ion Beam Milling
• Reactive Ion Beam Etching (RIBE)
• Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE)

Modalità Ion Beam Deposition

• Ion Beam Sputter Deposition (IBSD)
• Ion-assisted Sputter Deposition (IASD)
• Reactive Ion Beam Deposition (RIBD)

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Ion Beam Deposition

La tecnologia a fascio ionico fornisce un approccio eccezionalmente versatile all’attacco ed alla deposizione, offrendo un unico strumento e massimizzando l’utilizzo del sistema. I prodotti per la deposizione a fascio ionico vengono scelti per la loro capacità di produrre film di alta qualità, con superfici dense e lisce.

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Vantaggi principali

• Film sottili di alta qualità e bassissima contaminazione
• Elevata produttività ed ingombro ridotto per la riduzione dei costi di esercizio
• Uniformità e ripetibilità del processo senza pari
• Controllo ottico dello spessore del film molto accurato
• Rugosità del film superficiale molto bassa

Caratteristiche dell’hardware

Dimensione del wafer	100 mm	200 mm
Dimensione sorgente ionica	15 cm	15 cm
Velocità di rotazione del substrato	Fino a 20 RPM
Angolo di inclinazione del substrato	Da -90° orizzontale a +65° rivolto verso il basso
Temperatura del piatto	Configurazione con chiller o riscaldatore da 10 °C a 300 °C

Applicazioni

• Rivestimento di facce laser
• Specchi per giroscopi laser
• Ottica a raggi X
• Sensori ad infrarossi (IR) basati su II-VI
• Sensori IR (ossido di vanadio, II-VI)
• Filtri per telecomunicazioni

Modalità di deposizione a fascio ionico

• Deposizione sputter a fascio di ioni (IBSD)
• Deposizione Sputter assistita da ioni (IASD)
• Deposizione a fascio ionico reattivo (RIBD)