Wafer di silicio con strato deposto o cresciuto

Descrizione

Produciamo wafer di silicio con strato deposto o cresciuto di SiO2, Si3N4 ed altri materiali su specifica del cliente.

Offerta tecnica:

• Realizzazione di wafers con uno strato deposto o cresciuto termicamente
• Servizio di realizzazione strati su wafers già venduti al cliente.
• Opzione di fornire per ogni singolo wafer le misure di spessore a patto che questi siano identificati con laser marker.

Catatteristiche qualitative:

• SiO2 di alta qualità: ossidazione Dry fino a 300 nm disponibile su wafers da 1ʺ a  5ʺ (vedi grafici fig 1 e fig2)
• Si3N4 > 150 nm
• Altre specie di strati metallici quali: Pt, Au, Ag, Poly, Si, Ti, TiO2… e molti altri
• Roughness < 3 Å (misurata con AFM)
• Ottima qualità di depositi di  Graphene grazie alla qualità dell’ossido termico alla base

Campi applicativi:

• MEMS, Nanotubi, Graphene, Crescita materiali, Biochimica, Nano cablaggi

Caratteristiche tecniche dell’ ossido termico :

Fig. 1 Coefficente di estinzione K

Il coefficiente di estinzione K è molto basso e indica che lo strato di SiO2 termico è molto puro.

Fig. 2 Indice di Rifrazione

Come il grafico precedente anche la curva dell’indice di rifrazione dello strato cresciuto conferma la assenza di
Impurità o di porosità del film.

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