Wafer SOI
La Rivoluzione dei Semiconduttori
La Rivoluzione dei Semiconduttori

La tecnologia Silicon-On-Insulator (SOI) segna una svolta decisiva nel settore dei semiconduttori, superando i limiti del tradizionale silicio sfuso. Questa innovazione si basa sull’introduzione di un sottile strato isolante, solitamente in ossido di silicio, posizionato tra lo strato di silicio attivo e il substrato di supporto. Questa architettura unica riduce drasticamente la capacità parassita, un fattore che rallenta i dispositivi elettronici.
Quali sono i vantaggi concreti? I wafer SOI permettono di creare dispositivi fino al 15% più veloci e con un consumo energetico ridotto del 20% rispetto ai chip CMOS convenzionali. Questo significa prestazioni superiori, maggiore durata della batteria e minore dissipazione di calore.
La tecnologia SOI non è solo una promessa, ma una realtà che sta trasformando numerosi settori industriali. La sua capacità di migliorare l’efficienza dei dispositivi la rende la scelta preferita per le applicazioni più critiche:
Offriamo un’ampia gamma di wafer SOI di alta qualità, con diverse configurazioni per soddisfare ogni specifica esigenza di progetto. La nostra flessibilità ci permette di adattarci sia alla ricerca e sviluppo che alla produzione su piccola scala.
Scegliendo i nostri wafer SOI, scegli la velocità, l’efficienza e l’innovazione per i tuoi progetti.
siamo in grado di fornire soluzioni personalizzate per le vostre specifiche esigenze di progetto. Per le specifiche attualmente disponibili, consultare l’elenco delle scorte.
| Device Layer -TOP | Min. | Max. |
| Crystal Growth Method | CZ,FZ | |
| Diameter | 2″ | 8″ |
| Thickness | 0.05μm | >300μm |
| Tolerance | ±5% | |
| Crystal Orientation | (100),(110),(111) | |
| Type/Dopant | P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic | |
| Resistivity | 0.001 ohm-cm | >20,000 ohm-cm |
| Front Surface | Polished | |
| Buried Oxide -BOX layer | Min. | Max. |
| Thickness | 0.1μm | 3μm |
| Tolerance | ±5% | |
| Handle Layer | Min. | Max. |
| Crystal Growth Method | CZ,FZ | |
| Diameter | 2″ | 8″ |
| Thickness | 200μm | 750μm |
| Tolerance | ±5% | |
| Crystal Orientation | (100),(110),(111) | |
| Type/Dopant | P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic | |
| Resistivity | 0.001 ohm-cm | >20,000 ohm-cm |
| Back Surface | Etched or Polished with Oxide | |
| Overall Wafer Characteristics | Min. | Max. |
| TTV | <5μm | |
| BOW | <20μm | |
| Lead time | 9-12 weeks (On Average) | |
Richiesta informazioni

Compound semiconductor