Wafer SOI (Silicon-On-Insulator):
Wafer SOI (Silicon-On-Insulator): La Rivoluzione dei Semiconduttori
Wafer SOI (Silicon-On-Insulator): La Rivoluzione dei Semiconduttori
La tecnologia Silicon-On-Insulator (SOI) segna una svolta decisiva nel settore dei semiconduttori, superando i limiti del tradizionale silicio sfuso. Questa innovazione si basa sull’introduzione di un sottile strato isolante, solitamente in ossido di silicio, posizionato tra lo strato di silicio attivo e il substrato di supporto. Questa architettura unica riduce drasticamente la capacità parassita, un fattore che rallenta i dispositivi elettronici.
Quali sono i vantaggi concreti? I wafer SOI permettono di creare dispositivi fino al 15% più veloci e con un consumo energetico ridotto del 20% rispetto ai chip CMOS convenzionali. Questo significa prestazioni superiori, maggiore durata della batteria e minore dissipazione di calore.
La tecnologia SOI non è solo una promessa, ma una realtà che sta trasformando numerosi settori industriali. La sua capacità di migliorare l’efficienza dei dispositivi la rende la scelta preferita per le applicazioni più critiche:
Offriamo un’ampia gamma di wafer SOI di alta qualità, con diverse configurazioni per soddisfare ogni specifica esigenza di progetto. La nostra flessibilità ci permette di adattarci sia alla ricerca e sviluppo che alla produzione su piccola scala.
Scegliendo i nostri wafer SOI, scegli la velocità, l’efficienza e l’innovazione per i tuoi progetti.
siamo in grado di fornire soluzioni personalizzate per le vostre specifiche esigenze di progetto. Per le specifiche attualmente disponibili, consultare l’elenco delle scorte.
Device Layer -TOP | Min. | Max. |
Crystal Growth Method | CZ,FZ | |
Diameter | 2″ | 8″ |
Thickness | 0.05μm | >300μm |
Tolerance | ±5% | |
Crystal Orientation | (100),(110),(111) | |
Type/Dopant | P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic | |
Resistivity | 0.001 ohm-cm | >20,000 ohm-cm |
Front Surface | Polished |
Buried Oxide -BOX layer | Min. | Max. |
Thickness | 0.1μm | 3μm |
Tolerance | ±5% |
Handle Layer | Min. | Max. |
Crystal Growth Method | CZ,FZ | |
Diameter | 2″ | 8″ |
Thickness | 200μm | 750μm |
Tolerance | ±5% | |
Crystal Orientation | (100),(110),(111) | |
Type/Dopant | P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic | |
Resistivity | 0.001 ohm-cm | >20,000 ohm-cm |
Back Surface | Etched or Polished with Oxide |
Overall Wafer Characteristics | Min. | Max. |
TTV | <5μm | |
BOW | <20μm | |
Lead time | 9-12 weeks (On Average) |
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