XERIC™ Silicon ed Oxide Etch

Silicon Etch

Tecnologia utilizzante Difluoruro di Xenon in fase vapore per la rimozione a secco di strati sacrificali

Oxide Etch

Orbis 1000 processo brevettato per la rimozione di strati sacrificali di SiO2, compatibile con una vasta gamma di Metalli, e che utilizza Acido Fluoridrico Anidro in fase vapore, per il rilascio a secco di strutture MEMS, con elevate selettività anche rispetto al Si3N4.

Esempi applicativi Sensori, RF MEMS, microbolometri, accelerometri, interruttori RF, misuratori di temperatura
Tecnologia di processo piattaforma memsstar

Orbis Alpha

Orbis 1000

Orbis 3000

Vapor HF Etching “Xeric Oxide” “Orbis Alpha Xeric Oxide” “Orbis 1000 Xeric Oxide” Moduli di processo selezionabili: Xeric Oxide or Silicon, Aurix
XeF2 Etching “Xeric Silicon” “Orbis Alpha Xeric Silicon” “Orbis 1000 Xeric Silicon”
SAM Coating “Aurix” “Orbis Alpha Aurix” “Orbis 1000 Aurix”

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