IonFab IonBeam

Il sistema di attacco (IBE) e deposizione (IBD) a fascio ionico è la scelta ideale per la lavorazione di materiali di alta qualità. I sistemi hanno diverse opzioni hardware, tra cui la presenza della load-lock per un singolo substrato o con caricamento a cassetta. Le specifiche del sistema sono strettamente adattate alle applicazioni, consentendo di ottenere risultati più rapidi e ripetibili.

Funzionalità in modalità multipla
Possibilità di raggruppamento con altri strumenti di incisione e deposizione al plasma
Gestione di wafer singoli o di cluster di wafer
Configurazione a doppio raggio
Rugosità del film superficiale molto bassa
Uniformità dei lotti e riproducibilità del processo senza pari
Rilevamento accurato del punto finale – SIMS, emissione ottica
Film sottile di alta qualità per una contaminazione bassissima
Elevata produttività con ingombro ridotto per un basso costo di esercizio
Supporto brevettato per substrati ad alta velocità (fino a 500 RPM)
Controllo ottico del film in situ molto accurato

Ion Beam Etching

La tecnologia a fascio ionico fornisce un approccio eccezionalmente versatile all’attacco ed alla deposizione, offrendo un unico strumento e massimizzando l’utilizzo del sistema. L’attacco a fascio ionico offre la massima flessibilità ed un’eccellente uniformità.

Vantaggi principali

Configurazione flessibile della macchina per applicazioni di ricerca avanzate
Uniformità e riproducibilità del processo unici
Capacità di movimentazione dei wafer – load lock del singolo wafer cassette

Caratteristiche Hardware

Dimensione del wafer	100 mm	200 mm
Dimensione sorgente ionica RF	15 cm	15 cm
Velocità di rotazione del substrato	Fino a 20 RPM
Angolo di inclinazione del substrato	Da -90° orizzontale a +65° rivolto verso il basso
Temperatura del piatto	Configurazione con chiller o riscaldatore da 10 °C a 300 °C

Applicazioni

Attacco di superfici inclinate (slanted etching)
Attacco di facce laser
MRAM
Film dielettrici
Materiali III-V per la fotonica
Spintronics
Superconduttori

MMMMetodi di attacco IBE

Ion Beam Etching (IBE) / Ion Beam Milling
Reactive Ion Beam Etching (RIBE)
Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE)

Modalità Ion Beam Deposition

Ion Beam Sputter Deposition (IBSD)
Ion-assisted Sputter Deposition (IASD)
Reactive Ion Beam Deposition (RIBD)

Ion Beam Deposition

La tecnologia a fascio ionico fornisce un approccio eccezionalmente versatile all’attacco ed alla deposizione, offrendo un unico strumento e massimizzando l’utilizzo del sistema. I prodotti per la deposizione a fascio ionico vengono scelti per la loro capacità di produrre film di alta qualità, con superfici dense e lisce.

Vantaggi principali

Film sottili di alta qualità e bassissima contaminazione
Elevata produttività ed ingombro ridotto per la riduzione dei costi di esercizio
Uniformità e ripetibilità del processo senza pari
Controllo ottico dello spessore del film molto accurato
Rugosità del film superficiale molto bassa

Caratteristiche dell’hardware

Dimensione del wafer	100 mm	200 mm
Dimensione sorgente ionica	15 cm	15 cm
Velocità di rotazione del substrato	Fino a 20 RPM
Angolo di inclinazione del substrato	Da -90° orizzontale a +65° rivolto verso il basso
Temperatura del piatto	Configurazione con chiller o riscaldatore da 10 °C a 300 °C