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Il sistema IONTOF M6 TOF-SIMS rappresenta l’ultima generazione di strumentazione per spettrometria ioni secondari tempo volo, stabilendo nuovi standard nell’imaging superficiale nanometrico con prestazioni senza precedenti. Sviluppato da IONTOF, il M6 combina tecnologie rivoluzionarie per offrire la migliore analisi profondità SIMS disponibile sul mercato.

Tecnologia Nanoprobe 50: Risoluzione Laterale Rivoluzionaria

Prestazioni di Imaging Superiori

Il Nanoprobe 50 bismuto del sistema M6 garantisce:

• Risoluzione laterale inferiore a 50 nanometri
• Correnti ioniche primarie fino a 40 pA
• Frequenze di ripetizione fino a 50 kHz
• Sistema bipolare di bunching per massime velocità di acquisizione

Sorgente Cluster di Bismuto Avanzata

La strumentazione superficie analisi M6 integra:

• Cluster Bi1+, Bi3+ e Bi5+ per applicazioni versatili
• Colonna ionica dual-beam per analisi parallele
• Controllo preciso della dose ionica
• Stabilità a lungo termine delle prestazioni

Modalità Delayed Extraction: Innovazione Tecnologica Unica

Combinazione Senza Compromessi

La delayed extraction TOF-SIMS del M6 offre:

• Alta risoluzione laterale e di massa simultanee
• Risoluzione di massa superiore a 10,000 con imaging <50 nm
• Eccellenti prestazioni su campioni rugosi
• Riduzione significativa del contrasto topografico

Analizzatore Reflectron Avanzato

• Ottiche di estrazione rivoluzionarie
• Sistema di trasferimento ionico ottimizzato
• Rilevazione ad alta efficienza
• Accuratezza e risoluzione di massa superiori

Imaging Superficiale Nanometrico: Capacità Analitiche

Prestazioni di Analisi Superficiale

L’imaging superficiale nanometrico del M6 eccelle in:

• Sensibilità a livello di parti per miliardo (ppb)
• Informazioni elementali, isotopiche e molecolari
• Profondità di analisi 1-2 nanometri
• Range di massa completo (0-10,000 amu)

Modalità Operative Versatili

• Imaging statico ad alta risoluzione spaziale
• Profilazione dinamica in profondità
• Modalità spettrometrica dedicata
• Acquisizione interlacciata ad alte velocità

Analisi Profondità SIMS: Caratterizzazione Tridimensionale

Profilazione in Profondità Avanzata

L’analisi profondità SIMS del sistema M6 fornisce:

• Risoluzione in profondità sub-nanometrica
• Velocità di sputtering controllate (100 nm/min)
• Strutture multistrato risolte con precisione
• Quantificazione accurata dei profili

Sorgenti di Sputtering Multiple

• Sorgente cesio termica per materiali inorganici
• Sorgente gas cluster Ar per organici
• Sorgente ossigeno EI per applicazioni specifiche
• Controllo automatico delle condizioni operative

Extended Dynamic Range (EDR): Tecnologia Rivoluzionaria

Espansione del Range Dinamico

La tecnologia EDR del M6 offre:

• Range dinamico esteso fino a 7 ordini di grandezza
• Rilevazione simultanea di specie maggioritarie e traccia
• Eliminazione della saturazione del rivelatore
• Quantificazione accurata su ampie concentrazioni

Vantaggi Analitici

• Analisi MCs+ ottimizzata per quantificazione inorganica
• Correnti cluster bismuto elevate
• Sorgente cesio ad alte prestazioni
• Tecnologia EDR avanzata integrata

Software SurfaceLab 7: Suite Analitica Completa

Elaborazione Dati Avanzata

Il software SurfaceLab 7 include:

• Analisi statistica multivariata (MVSA) integrata
• Calibrazione automatica di massa e intensità
• Librerie spettrali estese
• Rendering 3D per visualizzazione dati

Funzionalità Specialistiche

• Correzione automatica della deriva strumentale
• Quantificazione avanzata con standard interni
• Esportazione dati in formati multipli
• Interfaccia utente intuitiva e personalizzabile

Controllo Temperatura Campioni: Flessibilità Operativa

Sistema Riscaldamento/Raffreddamento

• Range temperatura: -150°C a +600°C
• Controllo automatico a circuito chiuso
• Operazione a lungo termine senza intervento utente
• Stabilità termica eccellente

Applicazioni Termiche Specialistiche

• Studio di reazioni superficiali
• Desorzione controllata di specie volatili
• Analisi di polimeri sensibili alla temperatura
• Caratterizzazione di materiali ad alta temperatura

Applicazioni Industriali e di Ricerca

Industria Semiconduttori

La spettrometria ioni secondari tempo volo M6 eccelle in:

• Rilevamento metalli traccia critici
• Analisi di interfacce sottili
• Controllo qualità wafer e dispositivi
• Caratterizzazione dopanti e impurità

Scienza dei Polimeri

• Distribuzione additivi e stabilizzanti
• Interfacce polimero-substrato
• Degradazione superficiale e weathering
• Compatibilizzanti in blend polimerici

Ricerca Materiali

• Rivestimenti funzionali nanostrutturati
• Corrosione e passivazione superficiale
• Adesione e failure delle interfacce
• Materiali compositi avanzati

Biomedicale e Farmaceutico

• Distribuzione farmaci in tessuti
• Interfacce biomateriali-tessuto
• Rivestimenti biocompatibili
• Analisi di contaminanti biologici

Specifiche Tecniche del Sistema M6

Prestazioni Analitiche

• Risoluzione laterale: <50 nm (Nanoprobe 50)
• Risoluzione di massa: >10,000 (modalità delayed extraction)
• Sensibilità: livello ppb per la maggior parte degli elementi
• Range di massa: 0-10,000 amu

Configurazione Strumentale

• Camera di analisi: Ultra-alto vuoto (UHV)
• Dimensioni campioni: fino a 200 mm di diametro
• Sistema di caricamento: Load-lock automatico
• Posizionamento campioni: Precisione sub-micrometrica

Opzioni MS/MS

• TOF MS/MS integrato per identificazione molecolare
• Conferma rapida di contaminanti noti
• Imaging MS/MS ad alta velocità
• Profilazione MS/MS in profondità

Vantaggi Competitivi per l’Analisi Superficiale

Il sistema M6 TOF-SIMS alta risoluzione laterale si distingue per:

1. Risoluzione Laterale Leader: <50 nm con Nanoprobe 50
2. Modalità Delayed Extraction: Unica combinazione di alta risoluzione laterale e di massa
3. Tecnologia EDR: Range dinamico esteso senza precedenti
4. Versatilità Applicativa: Dalle scienze dei materiali alla farmaceutica
5. Software Avanzato: SurfaceLab 7 con MVSA integrata

Training e Supporto Specialistico

Programmi di Formazione

• Corso base TOF-SIMS (16 ore) per nuovi utenti
• Training avanzato su applicazioni specifiche
• Workshop imaging ad alta risoluzione
• Seminari di quantificazione SIMS

Supporto Tecnico Continuo

• Assistenza remota per ottimizzazione metodi
• Manutenzione preventiva programmata
• Aggiornamenti software periodici
• Consultazione applicativa specialistica

Confronto con Generazioni Precedenti

Miglioramenti del M6 vs TOF-SIMS 5

• Risoluzione laterale 3x superiore (da 150 nm a <50 nm)
• Velocità acquisizione aumentata del 50%
• Range dinamico esteso di 2 ordini di grandezza
• Stabilità strumentale migliorata significativamente

Innovazioni Tecnologiche Chiave

• Nuovo design ottiche di estrazione
• Sistema rilevazione ottimizzato
• Elettronica di controllo avanzata
• Algoritmi di elaborazione potenziati

Conclusioni

Il sistema IONTOF M6 TOF-SIMS stabilisce nuovi standard nell’analisi superficiale ad alta risoluzione laterale, combinando prestazioni analitiche superiori con facilità d’uso e versatilità applicativa. La tecnologia Nanoprobe 50 e la modalità delayed extraction rendono il M6 lo strumento ideale per ricerca avanzata e controllo qualità industriale. L’integrazione di imaging superficiale nanometrico e analisi profondità SIMS in un’unica piattaforma offre agli scienziati capacità analitiche senza precedenti per affrontare le sfide più complesse nella caratterizzazione dei materiali.