Tecnologia CVD Specializzata per la Nuova Frontiera dei Nanomateriali
Il PlasmaPro 100 Nano CVD (precedentemente Nanofab) segna l’eccellenza di Oxford Instruments nella crescita nanomateriali 1D e 2D e etero-strutture avanzate. Questo sistema rivoluzionario offre deposizione fino a strati atomici per processi critici come crescita grafene MoS2 hBN e materiali bidimensionali con controllo rigoroso e temperature flessibili fino a 1200°C.
CVD Nanomateriali 2D: Tecnologia All’Avanguardia
Il sistema CVD materiali 2D utilizza attivazione catalizzatore situ con controllo processo rigoroso per crescita ad alte prestazioni. Il cold wall CVD design con distribuzione precursori uniforme via showerhead garantisce uniformità eccellente e controllo temperatura preciso per materiali bidimensionali critici.
Vantaggi tecnici distintivi:
- Design cold wall per uniformità temperatura superiore
- Showerhead delivery per distribuzione precursori ottimale
- Multiple view ports per diagnostiche real-time
- Load lock vuoto CVD per throughput elevato senza raffreddamento
Crescita Materiali 2D Avanzati per Quantum e Photonics
Il sistema CVD nanomateriali 2D Oxford eccelle nella crescita di materiali rivoluzionari:
Materiali bidimensionali critici:
- Grafene su substrati metallici (Cu, Ni) e dielettrici
- Nitruro di boro esagonale (hBN) per quantum computing
- Dicalcogenuri (MoS2, MoSe2, WS2) per optoelettronica
- Etero-strutture 2D per dispositivi beyond-silicon
Applicazioni quantum e photonics:
- Grafene-hBN stack per qubit superconduttori
- MoS2 singolo strato per transistor atomici
- TMDCs per valley electronics e spintronica
Nanomateriali 1D: Nanotubi e Nanowire di Precisione
Specializzato anche in nanomateriali 1D nanotubi carbonio:
- Nanotubi carbonio (CNT) per elettronica flessibile
- Nanowire ZnO usando precursori DEZn ottimizzati
- Nanorod semiconduttori per LED e laser
- Nanofibre per energy harvesting e storage
Sistema Precursori TMDCs Avanzato
Il modulo delivery per crescita TMDCs precursori liquidi e solidi permette controllo preciso Transition Metal Dichalcogenides:
Precursori supportati:
- TEOS con sensing ultrasonico livello
- Precursori metallorganici per TMDCs
- Precursori gassosi per crescita controllata
- Delivery system ottimizzato per ogni materiale
Controllo Temperatura Ultra-Flessibile
CVD temperatura 1200°C con opzioni configurabili:
- Opzioni 700°C, 800°C, 1200°C per materiali diversi
- Uniformità temperatura eccellente via cold wall
- Cambio temperatura rapido per processi multi-step
- Controllo preciso per nucleazione e crescita
Load Lock e Throughput Produttivo
Il load lock vuoto CVD garantisce:
- Scambio campioni rapido senza raffreddamento camera
- Throughput elevato per ricerca e sviluppo
- Protezione atmosferica durante trasferimento
- Campioni fino 200mm con dimensioni variabili
Opzione Plasma Remoto per Processi Ibridi
Plasma remoto ICP opzionale per:
- PECVD nanomateriali a basse temperature
- Attivazione superficie pre-crescita
- Cleaning in-situ per riproducibilità
- Processi ibridi CVD termico + plasma enhancement
Applicazioni Emergenti e Mercati Target
Quantum computing:
- Grafene per elettrodi trasparenti qubit
- hBN per substrati ultra-puliti
- TMDCs per valleytronics quantum
Flexible electronics:
- Grafene per display flessibili
- Nanotubi carbonio per TFT stretch
- Coating conduttivi su plastiche
Energy technologies:
- Grafene per supercapacitori
- MoS2 per batterie Li-ion avanzate
- Nanowire per celle solari
Software PTIQ e Controlli Avanzati
Il software PTIQ Oxford integrato garantisce:
- Process control completo parametri crescita
- Recipe management per riproducibilità materiali
- Data logging avanzato per R&D
- Optical end-point detection per controllo qualità
- Gas pod flessibilità linee multiple
Caratteristiche Tecniche Specializzate
Specifiche sistema:
- Temperature: configurazioni 700°C/800°C/1200°C
- Substrati: campioni variabili fino 200mm
- Design: cold wall per uniformità superiore
- Load lock: vuoto per scambio rapido
- View ports: multipli per diagnostiche
- Precursors: gas, liquidi e solidi supportati
Controlli processo:
- Attivazione catalizzatore in-situ automatica
- Temperatura uniformity cold wall design
- Gas mixing preciso per crescita controllata
- Pressure control per nucleazione ottimale
Vantaggi Competitivi per R&D
ROI ricerca:
- Versatilità materiali 1D e 2D in sistema unico
- Crescita controllata da monostrati a film spessi
- Throughput R&D elevato con load lock
- Scalabilità da laboratorio a pre-produzione
- Upgrade path per processi industriali
ALD FlexAL