Oxford Instruments – PlasmaPro 100 ICPCVD

---

Tecnologia ICP CVD Remoto per Deposizione Ultra-Low Temperature

Il PlasmaPro 100 ICPCVD segna l’eccellenza di Oxford Instruments nella deposizione CVD con plasma accoppiato induttivamente. Questo sistema rivoluzionario utilizza plasma remoto ad alta densità per produrre film di qualità superiore a basse temperature di crescita, garantendo basso danno al substrato per applicazioni critiche.

Plasma Remoto ad Alta Densità: Tecnologia Superiore

La sorgente ICP plasma remoto genera densità di specie reattive superiore rispetto alle sorgenti RF parallele standard, operando efficacemente a bassa pressione. Il controllo indipendente bias DC substrato tramite generatore RF dedicato permette ottimizzazione precisa di radicali e ioni secondo i requisiti specifici del processo.

Vantaggi tecnici distintivi:

• Densità plasma elevata per velocità deposizione ottimali
• Distribuzione uniforme specie reattive su wafer 200mm
• Controllo energetico indipendente per qualità film
• Percorso alta conduttanza per processing stabile

Deposizione Ultra-Low Temperature: Da 5°C a 400°C

Il sistema ICPCVD eccelle nella deposizione film basse temperature, operando nell’eccezionale range da 5°C a 400°C per applicazioni termosensibili:

Film dielettrici avanzati:

• Biossido di silicio (SiO2) per isolamento e passivazione
• Nitruro di silicio (Si3N4) a basso stress per barriere
• Ossinitruro di silicio (SiON) per waveguide ottiche

Materiali funzionali:

• Silicio amorfo non drogato per TFT e sensori
• Carburo di silicio (SiC) per dispositivi alta potenza
• Titanio ossido (TiO2) per applicazioni ottiche

Precursori Liquidi: Flessibilità Chimica Avanzata

Il modulo vapore flessibile permette utilizzo precursori liquidi per deposizione materiali avanzati:

• TEOS (Tetraetilortosilicato) per SiO2 conformale eccellente
• TTIP (Tetraisopropossido di titanio) per TiO2 alta qualità
• Controllo vapore preciso per riproducibilità ottimale
• Delivery system ottimizzato per uniformità processo

Sorgenti ICP Scalabili e Controllo Temperatura

Sorgenti ICP disponibili da 65mm, 180mm, 300mm per uniformità processo ottimale su wafer fino 200mm. La configurazione 300mm garantisce uniformità eccezionale per produzione volume e ricerca avanzata.

Controllo temperatura avanzato:

• Range esteso da 5°C a 400°C (opzionale fino 1200°C)
• Raffreddamento He backside per controllo preciso
• Clampaggio meccanico per uniformità termica
• Cambio rapido temperature per flessibilità processo

Applicazioni Low-Damage per Substrati Sensibili

Il plasma remoto minimizza danno substrato permettendo deposizione controllata su:

Substrati termosensibili:

• Photoresist e polimeri organici
• Strutture biologiche per biosensori
• Dispositivi flessibili su plastica

Applicazioni avanzate:

• Quantum devices per computing
• MEMS e microsensori
• Photonics integrata su chip
• TFT display a bassa temperatura

Clustering Modulare e Integrazione Avanzata

Clustering fino a 5 moduli per linee produttive integrate:

• ALD/ICPCVD per stack dielettrico avanzato
• PECVD/ICPCVD per deposizione dual-process
• Etching/CVD per processi alternate
• Load-lock combinato per throughput elevato

Partner Ufficiale: Gambetti Kenologia Milano

Gambetti Kenologia Srl, distributore autorizzato con sede a Binasco (Milano), fornisce expertise completo per il PlasmaPro 100 ICPCVD. Con 50 anni di leadership nelle tecnologie CVD, garantisce:

• Consulenza processi basse temperature specializzata
• Sviluppo ricette precursori liquidi personalizzate
• Ottimizzazione low-damage per substrati sensibili
• Training ICP CVD avanzato per operatori
• Assistenza clustering e integrazione modulare
• Support photonics e quantum applications
• Manutenzione sistemi vapore specializzata

Controlli Intelligenti e Automazione

Sistema X20 avanzato per intelligenza processo:

• Controllo pressione automatico per stabilità
• Generatori Advanced Energy per plasma stabile
• Monitoraggio real-time parametri critici
• Recipe management per riproducibilità

Software PTIQ integrato garantisce:

• Process optimization automatica
• Data logging completo per tracciabilità
• Remote diagnostics per supporto proattivo
• Predictive maintenance per uptime massimo

Vantaggi Economici e Operativi per R&D

ROI superiore per laboratori multi-applicazione:

• Versatilità materiali in singolo sistema
• Basse temperature per riduzione costi energia
• Modular upgrade con clustering flessibile
• Manutenzione semplificata design robusto
• Footprint compatto per cleanroom optimization

Caratteristiche Tecniche Avanzate

Specifiche sistema:

• Compatibility: wafer fino 200mm con adattatori
• Temperature range: 5°C-400°C elettrodi
• ICP sources: 65/180/300mm configurabili
• Gas control: sistema avanzato miscele multiple
• Vacuum system: 1600 l/s turbo pump
• RF generators: 300W + 3kW ICP per controllo ottimale

Gas supportati: SiH4, Ar, CH4, N2O, O2, N2, H2, SF6 con scrubber integrato per gas tossici.