PlasmaPro 100 ICPCVD
PlasmaPro 100 ICPCVD: plasma CVD remoto per film SiO2, Si3N4 a 5°C-400°C.
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PlasmaPro 100 ICPCVD: plasma CVD remoto per film SiO2, Si3N4 a 5°C-400°C.
PlasmaPro 100 PECVD: deposizione film plasma SiO2, SiN per photonics, MEMS
PlasmaPro 100 ALE: sistema atomic layer etching Etchpoint® per GaN HEMT, materiali 2D.
PlasmaPro 100 Estrelas DRIE: tecnologia innovativa per incisione reattiva profonda con processi Bosch e Cryo
PlasmaPro 100 Cobra ICP: etching plasma ad alta densità per GaAs, InP, VCSEL.
PlasmaPro 100 RIE: reactive ion etching versatile per Si, SiO2, metalli, superconduttori
Linea PlasmaPro 80: sistemi compatti ICP, RIE, PECVD open-loading per ricerca e produzione.
Sistema plasma bassa pressione V6-G Pink da banco. Camera 170x200x170mm, potenza microonde 50-300W. Ideale per R&D e piccole produzioni.
Sistema plasma V10-G Pink da banco potenziato. Camera Ø215x260mm, potenza 50-600W. Maggiore capacità produttiva.
Sistema plasma V15-G Pink cabinet 19″. Camera 250x250x250mm, potenza 100-600W. Soluzione industriale compatta.